オルトシリケート誘導体に基づく新規なリチウム挿入電極材料

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (1)：中村稔 (外9名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000117248
Publication number (International publication number)：2001266882
Application date： Mar. 14, 2000
Publication date： Sep. 28, 2001
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】本発明は、オルトシリケート誘導体に基づく新規なリチウム挿入電極材料、これらの材料を含む電極を有する電気化学的発電装置及び可変光伝導装置に関する【解決手段】少なくとも二価の結合価を有する少なくとも一の遷移金属を取り込むことによって、ビルディングブロックとしてSiO44-テトラニオンを含むオルトシリケートを使用する。構造からリチウムが出入りして、電極作動中のレドックス共役体の原子価の変化を補償し、全体としての電気的中性度を保つ。本発明の電極材料は、例えば、Li2MnSiO4,Li2FeSiO4などが挙げられる。

Claim (excerpt)：

オルトシリケート構造に基づき、以下の一般式を有するリチウム挿入型の電極材料:Li<SB>x</SB>M<SB>m-(d+t+q+r)</SB>D<SB>d</SB>T<SB>t</SB>Q<SB>q</SB>R<SB>r</SB>[SiO<SB>4</SB>]<SB>1-(p+s+g+v+a+b)</SB>[SO<SB>4</SB>]<SB>s</SB>[PO<SB>4</SB>]<SB>p</SB>[GeO<SB>4</SB>]<SB>g</SB>[VO<SB>4</SB>]<SB>v</SB>[AlO<SB>4</SB>]<SB>a</SB>[BO<SB>4</SB>]<SB>b</SB>式中、MはMn<SP>2+</SP>又はFe<SP>2+</SP>及びその混合物を意味し;DはMg<SP>2+</SP>、Ni<SP>2+</SP>、Co<SP>2+</SP>、Zn<SP>2+</SP>、Cu<SP>2+</SP>、Ti<SP>2+</SP>、V<SP>2+</SP>、Ca<SP>2+</SP>を含む+2酸化状態にある金属を意味し;TはAl<SP>3+</SP>、Ti<SP>3+</SP>、Cr<SP>3+</SP>、Fe<SP>3+</SP>、Mn<SP>3+</SP>、Ga<SP>3+</SP>、Zn<SP>3+</SP>、V<SP>3+</SP>を含む+3酸化状態にある金属を意味し;QはTi<SP>4+</SP>、Ge<SP>4+</SP>、Sn<SP>4+</SP>、V<SP>4+</SP>を含む+4酸化状態にある金属を意味し;RはV<SP>5+</SP>、Nb<SP>5+</SP>、Ta<SP>5+</SP>を含む+5酸化状態にある金属を意味し;M、D、T、Q、Rは八面体又は四面体部位に位置する元素であり;s、p、g、v、a及びbは、ケイ素四面体部位に位置するS<SP>6+</SP>(スルフェート)、P<SP>5+</SP>(ホスフェート)、Ge<SP>4+</SP>(ゲルマネート)、V<SP>5+</SP>(バナデート)、Al<SP>3+</SP>(アルミネート)及びB<SP>3+</SP>(ボレート)それぞれに対応する化学量論係数であり;化学量論係数のd、t、q、r、p、s、v、a、bはすべて正の数であり、0(含む)と1(含む)の間の数であり;0≦x≦2; 1≦m≦2; p+s+v+a+b<1(含まない);かつx+2m+t+2q+3r=4-p-2s-v+a+bである。

IPC (10)：

H01M 4/58 , C01B 25/30 , C01B 33/00 , C01B 35/00 , H01G 9/00 , H01G 9/058 , H01G 9/004 , H01M 4/02 , H01M 4/62 , H01M 10/40

FI (10)：

H01M 4/58 , C01B 25/30 Z , C01B 33/00 , C01B 35/00 , H01G 9/00 , H01M 4/02 C , H01M 4/62 Z , H01M 10/40 Z , H01G 9/00 301 A , H01G 9/04

F-Term (40)：

4G072AA35 , 4G072GG02 , 4G072HH30 , 4G072JJ08 , 4G072JJ09 , 4G072JJ45 , 4G072LL11 , 4G072MM02 , 4G072MM31 , 4G072MM36 , 4G072UU15 , 5H029AJ14 , 5H029AK03 , 5H029AL01 , 5H029AL06 , 5H029AL12 , 5H029AM00 , 5H029AM03 , 5H029AM07 , 5H029AM16 , 5H029CJ22 , 5H029CJ24 , 5H050AA19 , 5H050BA16 , 5H050BA17 , 5H050CA07 , 5H050CB01 , 5H050CB07 , 5H050CB12 , 5H050DA02 , 5H050DA03 , 5H050DA09 , 5H050DA10 , 5H050DA11 , 5H050EA01 , 5H050EA08 , 5H050EA24 , 5H050FA19 , 5H050GA22 , 5H050GA24

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

非水電解質二次電池
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-025985 Applicant：日本電池株式会社
イオン伝導性高分子電解質、その製造方法及びポリマー電池
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-228459 Applicant：日本電気株式会社
非水二次電池
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-120908 Applicant：富士写真フイルム株式会社

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