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J-GLOBAL ID：200903074620647070

外部記憶装置、データ処理装置及びデータ処理方法

Inventor： 布施 博明 ,  佐々 哲 ,  尾上 淳
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997267178
Publication number (International publication number)：1999110300
Application date： Sep. 30, 1997
Publication date： Apr. 23, 1999
Summary：

【要約】【課題】 外部記憶装置が強制的に取り外されたりして、同じ論理アドレスを持つ複数のブロックが同時に存在するような状態(論理アドレスエラー)や、連結アドレスで指し示されたブロックが存在しないような状態(連結アドレスエラー)になったとしても、それらのエラーを検出し適切に修復できるようにする。【解決手段】 記憶領域が複数のブロックに分割されてなる外部記憶装置にデータを格納する際に、ブロックに論理アドレスを割り当ててデータを格納するとともに、データが格納されるブロックに当該データの新旧を示す識別番号を格納する。そして、外部記憶装置からデータを読み出す際に、同じ論理アドレスを持つ複数のブロックが存在する場合には、識別番号に基づいて、それらのブロックに格納されているデータの新旧を判別し、新しい方のデータは無効なデータとし、古い方のデータを有効なデータとする。

Claim (excerpt)：

記憶領域が複数のブロックに分割されてなり、各ブロックに対して論理アドレスが割り当てられる外部記憶装置であって、各ブロックには、データと共に当該データの新旧を示す識別番号が格納され、同じ論理アドレスを持つ複数のブロックが存在する場合には、上記識別番号に基づいて、それらのブロックに格納されているデータの新旧が判別され、新しい方のデータは無効なデータとされ、古い方のデータが有効なデータとされることを特徴とする外部記憶装置。

IPC (4)：

G06F 12/16 310 ,  G06F 12/16 340 ,  G06F 3/06 305 ,  G06F 3/08

FI (4)：

G06F 12/16 310 J ,  G06F 12/16 340 P ,  G06F 3/06 305 A ,  G06F 3/08 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• メモリ書替え装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-072829   Applicant：富士通株式会社
• 特開平3-246645
  
• 不揮発性メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-041311   Applicant：富士フイルムマイクロデバイス株式会社, 富士写真フイルム株式会社