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J-GLOBAL ID:200903074633265371
太陽電池の製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
深見 久郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991300518
Publication number (International publication number):1993136444
Application date: Nov. 15, 1991
Publication date: Jun. 01, 1993
Summary:
【要約】【目的】 基板が単結晶の場合でも多結晶の場合でも容易に表面に凹凸を形成し、これを使用した太陽電池の効率を改善する。【構成】 シリコン基板1の表面にガラスペースト2により適宜のパターンを形成し燒成してガラス層を形成し、これをアルカリ溶液中で処理して多数の凹凸を形成する。
Claim (excerpt):
半導体ウエハの受光面となる表面にガラスペーストのパターンを形成し燒成してガラス層を形成する工程と、この表面をアルカリ溶液中で処理して受光面に多数の凹凸を形成する工程とを有することを特徴とする太陽電池の製造方法。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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特開昭62-237768
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特開昭56-002625
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特開昭59-113654
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特開昭61-042144
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特開平1-186629
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