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J-GLOBAL ID:200903074640773056

磁気抵抗効果型ヘッド

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 松隈 秀盛
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996013228
Publication number (International publication number):1997204611
Application date: Jan. 29, 1996
Publication date: Aug. 05, 1997
Summary:
【要約】【課題】 バイアス磁界がセンス電流により影響されない磁気抵抗効果型ヘッドを提供する。【解決手段】 非磁性膜2を挟んで磁気抵抗効果を有する磁性膜1と軟磁性膜3とが積層されてなる磁気抵抗効果素子4と、磁気抵抗効果素子4の上下に配置された2つのシールド部材11,13とを有する軟磁性膜バイアス方式の磁気抵抗効果型ヘッド10において、磁気抵抗効果を有する磁性膜1と一方のシールド部材11との距離をg2 、軟磁性膜3と他方のシールド部材13との距離をg3 とするとき、g2 ≦0.3μmの範囲において、1.5×g2 ≦g3 ≦2×g2 を満たすようにg2 ,g3 の値が選定されて成る構成をとる。
Claim (excerpt):
非磁性膜を挟んで磁気抵抗効果を有する磁性膜と軟磁性膜とが積層されてなる磁気抵抗効果素子と、上記磁気抵抗効果素子の上下に配置された2つのシールド部材とを有する軟磁性膜バイアス方式の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、上記磁気抵抗効果を有する磁性膜と上記一方のシールド部材との距離をg2 、上記軟磁性膜と上記他方のシールド部材との距離をg3 とするとき、g2 ≦0.3μmの範囲において、1.5×g2 ≦g3 ≦2×g2 を満たすようにg2 ,g3 の値が選定されて成ることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。

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