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J-GLOBAL ID：200903074647388743
転写マスクの製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
藤村 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995084732
Publication number (International publication number)：1996254814
Application date： Mar. 16, 1995
Publication date： Oct. 01, 1996
Summary：
【要約】【目的】 電子線照射時の放熱特性や電気伝導性に優れるとともに、マスク作製が容易な転写マスクの製造方法を提供する。【構成】 支持枠部と、該支持枠部に支持された薄膜部と、該薄膜部に形成された開口とを有する転写マスクの製造方法において、二種類の結晶方位の異なるシリコン基板を接合した基板を用い、上部シリコン基板2は薄膜部として開口を形成し、下部シリコン基板1は支持枠部として加工する。
Claim (excerpt)：
支持枠部と、該支持枠部に支持された薄膜部と、該薄膜部に形成された開口とを有する転写マスクの製造方法において、二種類の結晶方位の異なるシリコン基板を接合した基板を用い、上部シリコン基板は薄膜部として開口を形成し、下部シリコン基板は支持枠部として加工することを特徴とする転写マスクの製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 541 R
