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J-GLOBAL ID：200903074647756386

シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法

Inventor： 池田 直紀 ,  藤川 孝 ,  末岡 浩治
Applicant, Patent owner： 住友金属工業株式会社
Agent (1)： 押田 良久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998017794
Publication number (International publication number)：1999204534
Application date： Jan. 14, 1998
Publication date： Jul. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 約1080°C以下の低温のデバイス製造工程においても充分なゲッタリング効果(IG)が発揮でき、さらに低コスト化を図るために炭素濃度及びシリコンエピタキシャル膜厚を最適化したIG能力のあるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。【解決手段】 CZ法等により炭素を比較的低い濃度で故意に入れて引き上げた単結晶シリコンを用いて作製されたシリコンウェーハを鏡面研磨後、5μm以下の薄いシリコンエピタキシャル膜を形成し、その後、微小欠陥を形成するための熱処理を施すことにより、目的のゲッタリング効果(IG)が発揮できる。

Claim (excerpt)：

半導体デバイス用シリコンウェーハにおいて、炭素濃度が0.1〜2.5×1016atoms/cm3(New ASTM法)、酸素濃度が10〜18×1017atoms/cm3(Old ASTM法)の範囲に制御してCZ法もしくはMCZ法にて引き上げられたシリコン単結晶をシリコンウェーハに切り出した後、ウェーハの片面又は両面を鏡面研磨仕上げし、さらにその表面にシリコンのエピタキシャル膜を成膜した後、前記シリコン結晶の内部に微小欠陥を形成する熱処理を行うシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/322 ,  H01L 21/205

FI (2)：

H01L 21/322 Y ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-061343
  
• 特開昭63-227026
  
• 特開平4-061343