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J-GLOBAL ID：200903074650220209

薄膜トランジスタおよびその製造方法

Inventor： 宮川 達也 ,  松本 広
Applicant, Patent owner： カシオ計算機株式会社
Agent (1)： 杉村 次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993064772
Publication number (International publication number)：1994260499
Application date： Mar. 02, 1993
Publication date： Sep. 16, 1994
Summary：

【要約】【目的】 移動度を大きくし、且つオフ電流を小さくする。【構成】 真性アモルファスシリコン薄膜からなるチャネル領域15の両側には非活性化n-型アモルファスシリコン薄膜からなるn-型ソース・ドレイン領域14が形成され、その両外側には活性化されたn-型ポリシリコン薄膜からなるn-型ソース・ドレイン領域13が形成され、その両外側には活性化されたn+型ポリシリコン薄膜からなるn+型ソース・ドレイン領域12が形成されている。そして、外側のn-型ソース・ドレイン領域13により移動度を大きくすることができ、また内側のn-型ソース・ドレイン領域14によりオフ電流を小さくすることができる。

Claim (excerpt)：

高濃度不純物ドレイン領域とチャネル領域との間に低濃度不純物ドレイン領域を有し、前記低濃度不純物ドレイン領域の前記高濃度不純物ドレイン領域側が活性化され、前記低濃度不純物ドレイン領域の前記チャネル領域側が活性化されていないことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/265

FI (2)：

H01L 29/78 311 P ,  H01L 21/265 A