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J-GLOBAL ID：200903074654586704
化合物半導体装置及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995146101
Publication number (International publication number)：1996340130
Application date： Jun. 13, 1995
Publication date： Dec. 24, 1996
Summary：
【要約】【目的】ウルツ鉱型構造の化合物半導体を含む化合物半導体装置に関し、生産性を向上するとともに、平坦な半導体膜を得ること。【構成】結晶構造が立方晶系に属する半導体基板11と、前記半導体基板11の主面に形成された立方晶系半導体層12と、前記立方晶系半導体層12の上に形成され且つ前記立方晶系半導体層12と同じ族のウルツ鉱型結晶系半導体層13〜16とを含む。
Claim (excerpt)：
結晶構造が立方晶系に属する半導体基板と、前記半導体基板の主面の上方に形成されたウルツ鉱型結晶系半導体層と、前記半導体基板の主面と前記ウルツ鉱型結晶系半導体層との間に形成され且つ前記ウルツ鉱型結晶系半導体層と同じ化合物族の立方晶系半導体層とを有することを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (3)：
H01L 33/00
, H01L 21/20
, H01S 3/18
H01L 33/00 C
, H01L 21/20
, H01S 3/18
