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J-GLOBAL ID：200903074661478356

単結晶炭化珪素の製造方法

Inventor： 大谷 昇 ,  勝野 正和 ,  金谷 正敏
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995010068
Publication number (International publication number)：1996208380
Application date： Jan. 25, 1995
Publication date： Aug. 13, 1996
Summary：

【要約】【目的】 この発明は、欠陥の少ない良質な単結晶炭化珪素を成長させる方法を提供する。【構成】 種結晶を用いた昇華再結晶法により炭化珪素単結晶を成長させる際に、雰囲気ガスとしてアルゴン等の不活性ガス中に1ppm〜90%の水素ガスを含有させたものを用いる。

Claim (excerpt)：

種結晶を用いた昇華再結晶法によって炭化珪素単結晶を成長させる工程を包含する炭化珪素単結晶の製造方法であって、成長雰囲気ガスとして不活性ガス中に1ppm〜90%の水素ガスを含有させたものを用いることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。

IPC (3)：

C30B 23/00 ,  C30B 29/36 ,  H01L 33/00