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J-GLOBAL ID：200903074663180397

シリサイド膜の形成方法

Inventor： ゾン・ス・ビョン ,  ヒョン・ズン・キム
Applicant, Patent owner： ゴールド スター エレグトロン カンパニー リミテッド
Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994017747
Publication number (International publication number)：1994295881
Application date： Jan. 19, 1994
Publication date： Oct. 21, 1994
Summary：

【要約】【目的】 シリコン消耗を最小にしドーパントの再分布を抑制し薄い接合を有するようにすること。【構成】 シリコン基板上に耐火性金属とコバルト膜を真空状態のまま蒸着する工程と、熱処理して前記シリコン基板と耐火性金属との境界にシリサイドを形成する工程と、エッチング溶液で未反応の前記コバルト膜と耐火性金属を除去する工程と、からなる。

Claim (excerpt)：

シリコン基板上に耐火性金属とコバルト膜を真空状態のまま蒸着する工程と、熱処理して前記シリコン基板と耐火性金属との境界にシリサイド膜を形成する工程と、エッチング溶液で未反応の前記コバルト膜と耐火性金属を除去する工程と、を有することを特徴とするシリサイド膜の形成方法。