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J-GLOBAL ID:200903074663221603
薄膜コンデンサ
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997278613
Publication number (International publication number):1998178153
Application date: Oct. 13, 1997
Publication date: Jun. 30, 1998
Summary:
【要約】【課題】誘電体薄膜を結晶化させるための熱によって基板や下地電極が受けるダメージを軽減した、品質に優れた薄膜コンデンサを提供する。【解決手段】基板11上に第1の電極14、誘電体薄膜15及び第2の電極16が形成された薄膜コンデンサであって、この誘電体薄膜15の結晶構造がパイロクロア型構造である。そして、このパイロクロア型構造の誘電体薄膜としては、Pb2Nb2O7、Sr2Ta2O7、Pb3Nb2O8、Pb5Nb4O15又はPb3Nb4O13が好ましい。
Claim (excerpt):
基板上に第1の電極、誘電体薄膜及び第2の電極が形成された薄膜コンデンサであって、該誘電体薄膜の結晶構造がパイロクロア型構造であることを特徴とする、薄膜コンデンサ。
IPC (7):
H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01B 3/12 312
, H01G 4/33
, H01G 4/10
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
FI (5):
H01L 27/04 C
, H01B 3/12 312
, H01G 4/06 102
, H01G 4/10
, H01L 27/10 651
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