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J-GLOBAL ID：200903074672034018

透過型電子顕微鏡による観察方法

Inventor： 小川 真一 ,  井上 靖秀 ,  島貫 純一 ,  森 博太郎
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体先端テクノロジーズ ,  株式会社日産アーク
Agent (2)： 日向寺 雅彦 ,  松山 允之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002275641
Publication number (International publication number)：2004111839
Application date： Sep. 20, 2002
Publication date： Apr. 08, 2004
Summary：

【課題】非晶質中に存在する空孔などの欠陥の分布状態を明瞭に観察することが可能な透過型電子顕微鏡による観察方法を提供することを目的とする。【解決手段】非晶質体(SP)に含まれる欠陥(DF)を観察するための透過型電子顕微鏡による観察方法であって、非晶質体に電子線(IW)を入射させて得られる回折波(DW)を排除して前記非晶質体から得られる透過波(TW)のみにより結像し、アンダーフォーカス条件で観察する観察方法を提供する。さらにステレオ観察を行うことにより、非晶質中に存在する空孔などの欠陥の形状や分布状態を明瞭に観察することが可能となる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

非晶質体に含まれる欠陥を観察するための透過型電子顕微鏡による観察方法であって、 非晶質体に電子線を入射させて得られる回折波を排除して前記非晶質体から得られる透過波のみにより結像し、アンダーフォーカス条件で観察することを特徴とする透過型電子顕微鏡による観察方法。

IPC (3)：

H01L21/66 ,  H01J37/21 ,  H01J37/26

FI (3)：

H01L21/66 N ,  H01J37/21 A ,  H01J37/26

F-Term (8)：

4M106AA01 ,  4M106AA20 ,  4M106BA02 ,  4M106CB19 ,  4M106DH33 ,  4M106DH38 ,  5C033LL01 ,  5C033SS03