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J-GLOBAL ID：200903074684058451

半導体製造装置用静電チャック

Inventor： 杉山 成正 ,  久本 淳 ,  池田 貢基 ,  金丸 守賀 ,  野沢 俊久 ,  西塚 哲也 ,  大西 隆
Applicant, Patent owner： 株式会社神戸製鋼所
Agent (1)： 植木 久一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995087244
Publication number (International publication number)：1996288376
Application date： Apr. 12, 1995
Publication date： Nov. 01, 1996
Summary：

【要約】【目的】 半導体ウエハと接触しても構成金属元素による汚染が発生することがなく、しかも優れた耐ガス腐食性及び耐プラズマ性を発揮する静電チャックを提供する。【構成】 基板上に絶縁層が形成された静電チャックであって、上記絶縁層は、その上層が非晶質なAl酸化物から構成されている。前記上層は、高周波マグネトロンスパッタリング法により0.10〜10μmの厚さで形成されることが好ましく、前記絶縁層は、その下層がAl酸化物からなることが望ましく、該Al酸化物としてはAlまたはAl合金の陽極酸化物を用いることが推奨される。

Claim (excerpt)：

基板上に絶縁層が形成された半導体製造装置用静電チャックであって、上記絶縁層は、その上層が非晶質なAl酸化物から構成されたものであることを特徴とする半導体製造装置用静電チャック。

IPC (2)：

H01L 21/68 ,  B23Q 3/15

FI (2)：

H01L 21/68 R ,  B23Q 3/15 D