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J-GLOBAL ID：200903074707905521

再結晶化方法

Inventor： 佐藤 幸人
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー
Agent (1)： 植本 雅治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994042021
Publication number (International publication number)：1995230952
Application date： Feb. 16, 1994
Publication date： Aug. 29, 1995
Summary：

【要約】【目的】 絶縁性基板上に半導体層(半導体薄膜)を形成し、該半導体層を溶融して再結晶化する際、半導体層の安定した溶融領域を実現することができるとともに、再結晶化後の半導体層に欠陥が発生するのを有効に防止することができる。【構成】 絶縁性基板1上に、単結晶化されるべき多結晶あるいは非晶質の半導体層(半導体薄膜)2を形成し、この半導体層(半導体薄膜)2上に表面保護膜3を形成する。ここで、半導体層2は、この中に微細なピット4が散在するパターンとなっており、このようなパターンでは、パターン側面の表面保護膜3と半導体層(半導体薄膜)2との境界が微小であり、かつ、連続していないため、連続的に一定方向の応力が加わることがない。これによって、双晶等の欠陥の発生を抑えることができる。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板上に半導体薄膜と表面保護膜とが順次に形成されている半導体材料基板を加熱走査し、前記半導体薄膜を溶融再結晶化する再結晶化方法において、前記半導体薄膜には、複数の穴状の微細欠損部分が、加熱走査時に溶融領域内において所定の間隔で設けられていることを特徴とする再結晶化方法。

IPC (2)：

H01L 21/20 ,  H01L 27/12