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J-GLOBAL ID：200903074717672827

GaAsショットキーバリアダイオード

Inventor： 石山 修
Applicant, Patent owner： 株式会社島津製作所
Agent (1)： 西田 新
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992170844
Publication number (International publication number)：1994013602
Application date： Jun. 29, 1992
Publication date： Jan. 21, 1994
Summary：

【要約】【目的】 GaAs層上に界面安定性が高く、安定した高耐圧性を有し、素子特性の向上したショットキーバリアダイオードを提供する【構成】 第1導電型のGaAsエピタキシャル層表面上のショットキー電極の周囲側壁部を囲むようそのGaAsエピタキシャル層上に、第2導電型のAlGaAs層、もしくはノンドープトAlGaAs層が設けられたRESP構造とする。

Claim (excerpt)：

第1導電型のGaAs基板上に形成されている第1導電型のGaAsエピタキシャル層表面上にショットキー電極が設けられ、そのショットキー電極の周囲側壁部を囲むよう上記GaAsエピタキシャル層上に、第2導電型のAlGaAs層、もしくはノンドープトAlGaAs層が設けられてなるGaAsショットキーバリアダイオード。