シリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶ウェーハ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：好宮幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003290765
Publication number (International publication number)：2005060153
Application date： Aug. 08, 2003
Publication date： Mar. 10, 2005
Summary：

【課題】シリコン同位体28Siの含有率が天然のシリコンよりも高いシリコン単結晶を、低コストで製造することができるシリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶ウェーハを提供する。【解決手段】チョクラルスキー法によりシリコン原料融液からシリコン単結晶を引上げて製造する方法であって、少なくとも、シリコン同位体元素28Siが92.3%以上の含有率の透明合成シリカガラス層を内表面に有する石英ルツボ中に28Siが92.3%以上の含有率のシリコン多結晶を充填し、該シリコン多結晶をヒータで加熱溶融してシリコン原料融液を生成し、種結晶を該シリコン原料融液に浸した後に該種結晶を引き上げてシリコン単結晶を成長させることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶ウェーハ。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

チョクラルスキー法によりシリコン原料融液からシリコン単結晶を引上げて製造する方法であって、少なくとも、シリコン同位体元素28Siが92.3%以上の含有率の透明合成シリカガラス層を内表面に有する石英ルツボ中に28Siが92.3%以上の含有率のシリコン多結晶を充填し、該シリコン多結晶をヒータで加熱溶融してシリコン原料融液を生成し、種結晶を該シリコン原料融液に浸した後に該種結晶を引き上げてシリコン単結晶を成長させることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。

IPC (2)：

C30B29/06 , C30B15/10

FI (5)：

C30B29/06 502H , C30B29/06 A , C30B29/06 502B , C30B29/06 502J , C30B15/10

F-Term (19)：

4G077AA02 , 4G077AB01 , 4G077AB09 , 4G077BA04 , 4G077CF10 , 4G077EB01 , 4G077EC07 , 4G077EG02 , 4G077EH06 , 4G077EH09 , 4G077EJ02 , 4G077PA06 , 4G077PA16 , 4G077PB04 , 4G077PB09 , 4G077PD01 , 4G077PF15 , 4G077PF17 , 4G077RA03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

米国特許第5144409号明細書
米国特許第5442191号明細書
単結晶シリコンの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-273890 Applicant：有限会社伊藤アソシエーツ

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