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J-GLOBAL ID：200903074740928170

磁気抵抗効果素子および磁気メモリ

Inventor： 斉藤 好昭 ,  沢 孝雄 ,  永瀬 俊彦 ,  西山 勝哉
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (7)： 鈴江 武彦 ,  村松 貞男 ,  坪井 淳 ,  橋本 良郎 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  河井 将次
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002339978
Publication number (International publication number)：2004179187
Application date： Nov. 22, 2002
Publication date： Jun. 24, 2004
Summary：

【課題】スイッチング磁界およびMR比のバラツキが小さく、ビットサイズを微小化してもスイッチング磁界が小さく、熱安定性に優れた磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】少なくとも一層のトンネルバリア層と、トンネルバリア層を挟んで設けられた磁気記録層および磁化固着層とを有し、磁気記録層が少なくとも2層のアモルファス磁性層とその間に挿入された非磁性層を含む磁気抵抗効果素子。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

少なくとも一層のトンネルバリア層と、前記トンネルバリア層を挟んで設けられた磁気記録層および磁化固着層とを有し、前記磁気記録層が少なくとも2層のアモルファス磁性層とその間に挿入された非磁性層を含むことを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (5)：

H01L43/08 ,  H01F10/13 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01L27/105

FI (6)：

H01L43/08 Z ,  H01L43/08 M ,  H01F10/13 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01L27/10 447

F-Term (18)：

5E049AA04 ,  5E049AC01 ,  5E049BA06 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083JA14 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083LA03 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 磁気抵抗素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-249934   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特開昭58-058707
  
• 特開昭63-028082
  
• 磁気検出素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-094031   Applicant：アルプス電気株式会社
• 特開昭58-058707
  
• 特開昭63-028082