磁場印加による材料の結晶方位制御方法及び装置

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：平山一幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002149808
Publication number (International publication number)：2003342100
Application date： May. 23, 2002
Publication date： Dec. 03, 2003
Summary：

【要約】【課題】材料の結晶方位制御方法及び装置を提供し、とくに、材料特性を向上させることができる。【解決手段】強磁場を印加しながら、材料を固液共存温度に再加熱することにより、または、凝固過程において固液共存温度領域で撹拌することにより結晶粒の分断を図り、個々の結晶粒が融液に浮遊して自由に回転できる状態を生み出し、結晶粒を磁化エネルギーが最小となる方向に回転させて、材料の結晶方位を制御する。急冷、圧延等の前処理を必要とせず、また、強磁性体に限らず、非磁性体の金属、セラミックス、あるいは有機物にも適用することができる。

Claim (excerpt)：

結晶磁気異方性を有する材料を磁場中で固液共存温度に再加熱することにより、該材料の結晶方位を制御することを特徴とする、磁場印加による材料の結晶方位制御方法。

IPC (6)：

C30B 30/04 , B22D 27/02 , C22C 1/02 501 , C23C 2/28 , C30B 11/02 , C22C 13/02

FI (6)：

C30B 30/04 , B22D 27/02 U , C22C 1/02 501 B , C23C 2/28 , C30B 11/02 , C22C 13/02

F-Term (14)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077BA01 , 4G077BA07 , 4G077CD08 , 4G077EA02 , 4G077EJ02 , 4G077HA20 , 4K027AA05 , 4K027AA22 , 4K027AB42 , 4K027AC72 , 4K027AD29 , 4K027AE21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

非平衡組織を利用した結晶方位配向多結晶の磁場中製造法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-036195 Applicant：安田秀幸, 大中逸雄
集合組織化された多結晶材料を準備するための方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-193234 Applicant：サントル・ナシヨナル・ド・ラ・ルシエルシユ・シアンテイフイツク
特開平2-018390

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