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J-GLOBAL ID：200903074762611464

光電変換装置

Inventor： 山田 克彦 ,  五福 伊八郎
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991184164
Publication number (International publication number)：1993013803
Application date： Jun. 28, 1991
Publication date： Jan. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】 高密度画像読取りに好適な光電変換特性を得る。更に、素子分離に基づく特性劣化を防止する。【構成】 基板1上に光電変換素子部13と該光電変換素子部からの信号を増幅する増幅素子部11とを有し、上記光電変換素子部13がフォトダイオードを光電変換層として含んでおり、上記増幅素子部11がMIS型トランジスタからなり、上記光電変換素子部13が増幅素子部11上に配置されており、しかも該増幅素子部11のMIS型トランジスタのゲート電極層103と上記光電変換部のフォトダイオードの下部電極層103とが共通化されている。光電変換素子部13にてドーピング層106が基板面法線方向からみて上部電極層107よりも外側まで張出している。1は絶縁基板であり、110はソース電極層であり、111はドレイン電極層である。

Claim (excerpt)：

基板上に複数の光電変換素子部を有し該光電変換素子部がフォトダイオードを光電変換層として含んでいる光電変換装置において、基板上の下部電極層と該下部電極層上の光電変換層の少なくとも一部とが複数の光電変換素子部について共通化されており、該光電変換層がドーピング層を含み、該ドーピング層上に上部電極層が形成されており、これらドーピング層及び上部電極層が光電変換素子部ごとに個別化されており、且つ各光電変換素子部にて上記ドーピング層が基板面法線方向からみて上記上部電極層よりも外側まで張出していることを特徴とする光電変換装置。

IPC (3)：

H01L 31/10 ,  H01L 21/76 ,  H01L 31/02

FI (2)：

H01L 31/10 A ,  H01L 31/02 A