結晶欠陥の少ないシリコン単結晶及びその製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本亮一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995143391
Publication number (International publication number)：1996337490
Application date： Jun. 09, 1995
Publication date： Dec. 24, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】酸化膜耐圧の高い、チョクラルスキー法によるシリコン単結晶を高生産性で得る。【構成】チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を製造する場合において、育成されるシリコン単結晶が結晶成長時にシリコンの融点から 1,200°Cまでの温度域を通過する時間が 190分以下となるようにし、 1,150°Cから 1,080°Cまでの温度域を通過する時間が60分以上となるようにすることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法、および、この方法によって製造された結晶欠陥の少ないシリコン単結晶。

Claim (excerpt)：

チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を製造する場合において、育成されるシリコン単結晶が結晶成長時に、 1,150°Cから 1,080°Cまでの温度域を通過する時間が60分以上となるようにすることを特徴とする、シリコン単結晶の製造方法。

IPC (5)：

C30B 15/00 , C30B 15/20 , C30B 29/06 502 , C30B 33/02 , H01L 21/208

FI (5)：

C30B 15/00 Z , C30B 15/20 , C30B 29/06 502 E , C30B 33/02 , H01L 21/208 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

半導体単結晶およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-017674 Applicant：新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社

Return to Previous Page