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J-GLOBAL ID:200903074776007233
強磁性トンネル接合素子
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
作田 康夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999244755
Publication number (International publication number):2001068760
Application date: Aug. 31, 1999
Publication date: Mar. 16, 2001
Summary:
【要約】【課題】強磁性トンネル接合を用いた磁気抵抗センサにおいて、強磁性層と反強磁性との交換相互作用を得るための熱処理や、素子作製工程中の熱処理に伴うトンネル抵抗の増大及び磁気抵抗効果の低下を抑制し、均一性、再現性のあるトンネル磁気抵抗センサを提供する。【解決手段】強磁性トンネル接合を用いた磁気抵抗センサにおいて、強磁性層とトンネル障壁層との少なくとも一方の界面にCo系あるいはCoFe系のアモルファス強磁性層を設けることにより達成できる。
Claim (excerpt):
第1の強磁性層と第2の強磁性層との間にトンネル障壁層を挟んだ構造を持つ強磁性トンネル接合であって、上記強磁性層とトンネル障壁層との間の少なくとも一方にアモルファス強磁性層を設けていることを特徴とする強磁性トンネル接合素子。
IPC (3):
H01L 43/08
, G11B 5/39
, H01F 10/30
FI (3):
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, H01F 10/30
F-Term (14):
5D034BA03
, 5D034BA18
, 5D034BA21
, 5D034CA03
, 5E049AA01
, 5E049AA04
, 5E049AA07
, 5E049AA09
, 5E049AC01
, 5E049AC05
, 5E049BA06
, 5E049BA12
, 5E049DB04
, 5E049DB14
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