窒化物半導体基板、及びその成長方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001264740
Publication number (International publication number)：2003077841
Application date： Aug. 31, 2001
Publication date： Mar. 14, 2003
Summary：

【要約】【課題】基板上に保護膜を用いること無く窒化物半導体をエピタキシャル成長させる窒化物半導体基板の製造方法において、量産性及び歩留まりを向上させ、かつ貫通転位を低減させた結晶性のよい窒化物半導体基板を得ることを目的とする。【解決手段】基板上に保護膜を部分的に形成し、熱処理をすることで基板の露出部に窒素含有領域を形成する。その後、保護膜を除去し、窒化物半導体を成長させる。ここで、窒化物半導体は基板上において窒素含有領域より選択的に成長が進む。さらに連続反応させることで表面が鏡面かつ平坦な窒化物半導体層を有する窒化物半導体基板を得る。

Claim (excerpt)：

部分的に窒素含有領域を表面上に有する基板と、前記基板の窒素含有領域を成長界面としてエピタキシャル成長した窒化物半導体層とを備えたことを特徴とする窒化物半導体基板。

IPC (2)：

H01L 21/205 , C30B 29/38

FI (2)：

H01L 21/205 , C30B 29/38 D

F-Term (22)：

4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077DB01 , 4G077EE01 , 4G077EE02 , 4G077EE05 , 4G077EE07 , 4G077TC12 , 4G077TC16 , 4G077TC17 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD15 , 5F045AF09 , 5F045BB12 , 5F045CA12 , 5F045DA52 , 5F045DB02 , 5F045DB04 , 5F045HA22

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

GaN系化合物半導体結晶の成長方法及び半導体結晶基材
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-077267 Applicant：三菱電線工業株式会社
窒化物半導体ウエハーの製造方法および窒化物半導体素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-142675 Applicant：松下電子工業株式会社
半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-075005 Applicant：株式会社日立製作所

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