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J-GLOBAL ID:200903074789647665

マイクロ波プラズマCVD装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 太田 明男
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994303245
Publication number (International publication number):1996134656
Application date: Nov. 10, 1994
Publication date: May. 28, 1996
Summary:
【要約】【目的】 基体上に安定した均一なプラズマトーチを形成せしめ、ダイヤモンドなどの硬質皮膜を高効率で形成させる。【構成】 マグネトロンに全波整流後平滑化した直流電圧を印加してマイクロ波を発生させ、マイクロ波導波管から石英窓26を通過して真空容器27内に形成されるマイクロ波34の定在波の、石英窓面から数えて最初の0.5波長を除き、それ以降に生成する定在波の腹の部分34bに相当するように基体支持体28を設ける。さらに、真空容器内で基体支持体28と真空容器27とのなす空間に、プラズマトーチ形状制御手段32を設ける。
Claim (excerpt):
マイクロ波導波管と、石英の窓を隔てて該マイクロ波導波管に連結された真空容器と、該真空容器内に配設された基体支持手段と、該真空容器にガスを供給するガス供給手段と、該真空容器内のガスを排気する真空排気手段と、該真空容器内にプラズマを生成させるプラズマ生成手段とからなるマイクロ波プラズマCVD装置において、プラズマトーチが形成される側とは反対側の、上記基体支持手段と真空容器とのなす空間に、プラズマトーチ制御手段を設けたことを特徴とするマイクロ波プラズマCVD装置。
IPC (4):
C23C 16/50 ,  C23C 16/26 ,  C23C 16/52 ,  H05H 1/46
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
  • プラズマ処理装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平5-045653   Applicant:株式会社ダイヘン
  • 特開平4-056100

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