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J-GLOBAL ID：200903074800395037

光半導体装置

Inventor： 小山 泰宏
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991217616
Publication number (International publication number)：1993055628
Application date： Aug. 28, 1991
Publication date： Mar. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 この発明は、電流の注入効率が劣化することなしに、電流-光の変換効率を向上できる光半導体装置を提供しようとするものである。【構成】 N型の半導体層1と、P型の半導体層3とで構成される光電変換層内における表面電極5の近傍に、この表面電極5に接しないように、この光電変換層より高い比抵抗を有する絶縁層15を形成するようにしている。このようなものであると、表面電極5から注入された電流は、絶縁層15を避けてPN接合部13に供給されるようになるので、表面電極5の近傍においては、電流-光の変換が行われない。また、表面電極5と絶縁層15は互いに接しないので、電流の注入効率が落ちることもない。

Claim (excerpt)：

第1導電型の第1の半導体層および第2導電型の第2の半導体層で構成される光電変換層を含む半導体基体と、前記半導体基体上に形成された、前記光電変換層のうち前記第1の半導体層に第1の電位を供給する第1の電極と、前記半導体基体上に形成された、前記光電変換層のうち前記第2の半導体層に前記第1の電位と異なる第2の電位を供給する第2の電極と、前記光電変換層うち前記第1の半導体層内に、前記第1の電極に接しないように形成され、かつ前記光電変換層より大きい比抵抗を有する高抵抗層と、を具備することを特徴とする光半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-107887
  
• 特開平2-181980
  
• 特開平3-089568