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J-GLOBAL ID：200903074811346178

半導体構造及び半導体装置

Inventor： 土屋 朋信 ,  青木 雅博 ,  鈴木 誠 ,  魚見 和久 ,  茅根 直樹
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 薄田 利幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991015330
Publication number (International publication number)：1993037081
Application date： Feb. 06, 1991
Publication date： Feb. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】歪量と歪層の膜厚を独立に制御した半導体構造及びこのような半導体構造を有する半導体装置。【構成】基板と格子定数の異なる少なくとも2層の歪層部分と、歪層部分のバンドギャップエネルギーと等しいバンドギャップエネルギーを持ち、かつ基板と格子整合し、歪層部分の間に設けられた整合層部分とよりなる半導体構造及びこのような半導体構造を多重量子井戸構造の井戸層、障壁層等に有する半導体装置。

Claim (excerpt)：

基板と格子定数の異なる少なくとも2層の歪層部分と、該歪層部分の間に設けられた整合層部分とよりなる構造を有し、該整合層部分は、該歪層部分のバンドギャップエネルギーと等しいバンドギャップエネルギーを持ち、かつ該基板と格子整合することを特徴とする半導体構造。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00