Pat
J-GLOBAL ID:200903074835449962

パターン形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 三好 秀和 (外7名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999257927
Publication number (International publication number):2001085397
Application date: Sep. 10, 1999
Publication date: Mar. 30, 2001
Summary:
【要約】【課題】 高エッチング耐性を有する金属のマスクパターンを湿式方法で形成する。【解決手段】 被加工膜1上に導電性有機化合物を湿式方法で塗布し導電膜2を形成する。導電膜2上にレジスト膜を成膜し、露光と現像を施しレジストパターン4を形成する。導電膜2を電極として機能させ電解メッキ処理を行う。レジストパターンに被覆されていない領域の導電膜2に金属が堆積し金属パターン5が形成できる。このことにより、レジストに対して高選択比を有し加工しにくい金属でもレジストパターン4のネガパターンを転写することができる。
Claim (excerpt):
被加工膜の上に絶縁膜のパターンを形成する工程と、前記絶縁膜パターン間に選択的に金属パターンを形成する工程と、前記金属パターンをマスクに前記被加工膜にエッチングする工程を具備することを特徴とするパターン形成方法。
IPC (6):
H01L 21/3065 ,  C23C 18/16 ,  C25D 7/12 ,  G03F 7/36 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/312
FI (6):
H01L 21/302 N ,  C23C 18/16 B ,  C25D 7/12 ,  G03F 7/36 ,  H01L 21/288 E ,  H01L 21/312 D
F-Term (87):
2H096AA00 ,  2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096CA05 ,  2H096EA02 ,  2H096EA03 ,  2H096EA05 ,  2H096EA06 ,  2H096EA07 ,  2H096EA08 ,  2H096GA03 ,  2H096GA08 ,  2H096HA23 ,  2H096HA27 ,  2H096JA04 ,  4K022AA05 ,  4K022BA01 ,  4K022BA02 ,  4K022BA06 ,  4K022BA08 ,  4K022BA09 ,  4K022BA14 ,  4K022BA17 ,  4K022BA21 ,  4K022BA22 ,  4K022BA24 ,  4K022BA25 ,  4K022BA28 ,  4K022CA05 ,  4K022CA17 ,  4K022CA21 ,  4K022CA22 ,  4K022DA01 ,  4K022DB01 ,  4K022DB02 ,  4K022DB03 ,  4K022DB05 ,  4K024AA01 ,  4K024AA03 ,  4K024AA04 ,  4K024AA05 ,  4K024AA07 ,  4K024AA08 ,  4K024AA09 ,  4K024AA10 ,  4K024BA01 ,  4K024BB09 ,  4K024BB12 ,  4K024CA06 ,  4K024DA09 ,  4K024FA05 ,  4K024FA08 ,  4K024GA16 ,  4M104BB01 ,  4M104DD08 ,  4M104DD16 ,  4M104DD65 ,  4M104DD71 ,  5F004BA08 ,  5F004BA13 ,  5F004CA04 ,  5F004DA01 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004DB03 ,  5F004DB08 ,  5F004DB23 ,  5F004DB26 ,  5F004EA05 ,  5F004EA10 ,  5F004EA15 ,  5F004EA17 ,  5F004EA26 ,  5F004FA01 ,  5F058AC08 ,  5F058AE01 ,  5F058AF04 ,  5F058AG09 ,  5F058AH01 ,  5F058AH04 ,  5F058BC02 ,  5F058BF04 ,  5F058BH12 ,  5F058BJ01
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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