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J-GLOBAL ID：200903074841328719

炭素薄膜の製造方法

Inventor： 今村 秀樹 ,  志賀 章 ,  水野谷 博英
Applicant, Patent owner： 花王株式会社
Agent (1)： 古谷 馨 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995217436
Publication number (International publication number)：1997059760
Application date： Aug. 25, 1995
Publication date： Mar. 04, 1997
Summary：

【要約】【課題】 スパッタリングにより特性の良好な炭素薄膜を得る方法を提供すること。【解決手段】 RFスパッタリング法において、ターゲット4としてグラファイトとダイヤモンドを混合したものを用いる。

Claim (excerpt)：

スパッタリングにより炭素薄膜を製造する方法において、グラファイトにダイヤモンドを混合してターゲットとなし、高周波放電によりプラズマを生成することを特徴とする、炭素薄膜の製造方法。

IPC (4)：

C23C 14/06 ,  C01B 31/02 101 ,  C23C 14/34 ,  C30B 29/04

FI (5)：

C23C 14/06 F ,  C01B 31/02 101 Z ,  C23C 14/34 A ,  C30B 29/04 M ,  C30B 29/04 D