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J-GLOBAL ID：200903074845138000

磁性薄膜メモリ素子及び磁性薄膜メモリ

Inventor： 野口 潔 ,  大池 太郎 ,  佐藤 雄一 ,  荒木 悟 ,  篠浦 治
Applicant, Patent owner： ティーディーケイ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995244991
Publication number (International publication number)：1997091949
Application date： Sep. 22, 1995
Publication date： Apr. 04, 1997
Summary：

【要約】【課題】 構造が単純な3層構造からなり、低抵抗でパワ-ロスが少なく、大容量化が可能な磁性薄膜メモリ素子および磁性薄膜メモリを提供することを目的とする。【解決手段】 絶縁層を挟んで積層された、磁化容易軸が平行な第1磁性層及び第2磁性層を有し、該第2磁性層の保磁力は、該第1磁性層の保磁力より大きく、該第1磁性層と該第2磁性層との間で、トンネル効果が得られる部分があることを特徴とする磁性薄膜メモリ素子。

Claim (excerpt)：

絶縁層を挟んで積層された、磁化容易軸が平行な第1磁性層及び第2磁性層を有し、該第2磁性層の保磁力は、該第1磁性層の保磁力より大きく、該第1磁性層と該第2磁性層との間で、トンネル効果が得られる部分があることを特徴とする磁性薄膜メモリ素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 磁気抵抗素子ならびにその磁気抵抗素子を用いた磁性薄膜メモリおよび磁気抵抗センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-214123   Applicant：三菱電機株式会社