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J-GLOBAL ID：200903074848280703

光半導体デバイス及びその製造方法

Inventor： 水谷 夏彦
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 加藤 一男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994017814
Publication number (International publication number)：1995211984
Application date： Jan. 18, 1994
Publication date： Aug. 11, 1995
Summary：

【要約】【目的】熱処理工程を経ることなく、基板の同じ側に複数の電極を設けた光半導体デバイスを得ることを目的とする。【構成】基板201上に、第1の導電型の層203、ノンドープあるいは第1または第2導電型の活性層204、第2の導電型の層205を積層し、少なくとも第2の導電型の層205を除去したリッジ206と、第1の導電型層203まで達するコンタクト溝207を形成する。特にリッジ206側面やコンタクト溝207の底面にもとの基板201とは異なる面指数の結晶面を露出し、両性不純物を添加して再成長をすることでリッジ206上面等には第2の導電型の層208等を成長し、一方、コンタクト溝部207には第1の導電型の層209、214を成長して、これらを電流注入経路、電界印加の経路として用いる。

Claim (excerpt)：

同一平面内に第1の導電型の部分と第2の導電型の部分とを有しこれらを第1の導電型の層と第2の導電型の層とに挟まれた活性層に対する電子と正孔の注入経路として用い、第1の導電型からなる電流注入経路と第2の導電型からなる電流注入経路との間に設けられた少なくとも1箇所の横方向のpn逆接合によって電気的分離を行うことを特徴とする光半導体デバイス。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-099391
  
• 特開昭61-270886
  
• 特開昭63-147139