張り合わせSOI基板、その作製方法及びそれに形成されたMOSトランジスター

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996275905
Publication number (International publication number)：1998125881
Application date： Oct. 18, 1996
Publication date： May. 15, 1998
Summary：

【要約】【課題】 MOSトランジスターのショートチャネル効果を抑制することが可能な張り合わせSOI基板、その作製方法及びそれに形成されたMOSトランジスターを提供する。【解決手段】第1のSiウエハー101 の表面上に第1のシリコン酸化膜102 を形成し、この酸化膜102 の上に裏面ゲート電極103 を形成し、裏面ゲート電極103 及び酸化膜102 の上に第2のシリコン酸化膜106 を形成し、酸化膜106 を平坦化した後、ウエハー101 に酸化膜106、102 及び電極103 を通してにSmart Cut 法おけるイオン注入を行うことにより、ウエハー101 における一定の深さにイオン注入のピークレンジを形成し、酸化膜106 の表面に第2のSiウエハー107 を張り合わせ、上記Siウエハー101 を上記イオン注入のピークレンジの部分で切断する。

Claim (excerpt)：

Siウエハーの表面上に第1の絶縁膜を形成する工程と、上記第1の絶縁膜の上に素子を形成する工程と、上記素子及び上記第1の絶縁膜の上に第2の絶縁膜を形成する工程と、上記第2の絶縁膜を平坦化する工程と、上記Siウエハーに上記第1、第2の絶縁膜及び上記素子を通してにSmart Cut 法おけるイオン注入を行うことにより、該Siウエハーにおける一定の深さにイオン注入のピークレンジを形成する工程と、上記第2の絶縁膜の表面に半導体ウエハーを張り合わせる工程と、上記Siウエハーを上記イオン注入のピークレンジの部分で切断する工程と、を具備することを特徴とする張り合わせSOI基板の作製方法。

IPC (5)：

H01L 27/12 , H01L 21/02 , H01L 21/304 321 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (5)：

H01L 27/12 B , H01L 21/02 B , H01L 21/304 321 M , H01L 29/78 617 N , H01L 29/78 627 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

MOSトランジスタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-291109 Applicant：富士通株式会社
両面ゲート電界効果トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-000556 Applicant：富士通株式会社
薄い半導体材料フィルムの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-246594 Applicant：コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク

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