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J-GLOBAL ID：200903074873086628

真空マイクロ素子及びその製造方法

Inventor： 佐久間 尚志 ,  酒井 忠司 ,  小野 富男 ,  中山 和也
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998265254
Publication number (International publication number)：1999154455
Application date： Sep. 18, 1998
Publication date： Jun. 08, 1999
Summary：

【要約】【課題】本発明は、ダイヤモンドをエミッタに使用した場合の特性を最大限に活かす新しい真空マイクロ素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】底部を尖らせた凹部102を有するSi基板101にゲート絶縁層となる熱酸化膜層3を形成し、連続してエミッタ層となるn型ダイヤモンドグレーテッド層104を形成する。Si基板と第2の基板であるガラス基板105を接合し、Si基板101をエッチングにより除去する。次に、エミッタ層であるn型ダイヤモンドグレーテッド層の凸部を露出させるためにゲート電極層、ゲート絶縁層である熱酸化膜層を順次エッチングし、ダイヤモンドエミッタを形成する。

Claim (excerpt)：

電子を電界放出するエミッタと、その放出を制御するゲート電極とを有する真空マイクロ素子において、エミッタのバンドギャップを連続的に変化させることを特徴とする真空マイクロ素子。

IPC (2)：

H01J 1/30 ,  H01J 9/02

FI (3)：

H01J 1/30 F ,  H01J 1/30 A ,  H01J 9/02 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 電界放出型電子源及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-204350   Applicant：シヤープ株式会社
• 電界放出型電子源
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-235597   Applicant：シャープ株式会社
• 電界放出型微小冷陰極およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-216878   Applicant：東京瓦斯株式会社
• 微小真空管およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-069887   Applicant：株式会社東芝