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J-GLOBAL ID:200903074875625267
二次電子放出膜の製造方法及び二次電子放出膜
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
吉田 勝広 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998327152
Publication number (International publication number):2000156153
Application date: Nov. 17, 1998
Publication date: Jun. 06, 2000
Summary:
【要約】【課題】 比較的低温度の膜形成でも優れた二次電子放出性を示し、大面積の塗布形成が可能であり、量産性・コスト面で優れた二次電子放出膜とその形成方法を提供すること。【解決手段】 マグネシウム化合物微粒子含有液を基板上に塗布し、この塗布膜に活性エネルギー線を照射することを特徴とする二次電子放出膜の製造方法、及び該方法によって得られる二次電子放出膜。
Claim (excerpt):
マグネシウム化合物微粒子含有液を基板上に塗布し、この塗布膜に活性エネルギー線を照射することを特徴とする二次電子放出膜の製造方法。
IPC (5):
H01J 9/12
, H01J 1/32
, H01J 11/00
, H01J 11/02
, H01J 43/10
FI (5):
H01J 9/12 Z
, H01J 1/32 B
, H01J 11/00 K
, H01J 11/02 B
, H01J 43/10
F-Term (15):
5C040FA01
, 5C040FA04
, 5C040GB03
, 5C040GB14
, 5C040GE07
, 5C040GE09
, 5C040JA01
, 5C040JA02
, 5C040JA28
, 5C040KB19
, 5C040KB22
, 5C040LA17
, 5C040MA12
, 5C040MA17
, 5C040MA25
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