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J-GLOBAL ID：200903074889882467

絶縁膜の形成方法及び絶縁膜形成装置

Inventor： 向井 裕二 ,  小寺 宏一
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991172501
Publication number (International publication number)：1993019296
Application date： Jul. 12, 1991
Publication date： Jan. 29, 1993
Summary：

【要約】【目的】 高品質で膜厚均一性に優れた絶縁膜を、低温で形成する。また、液晶ディスプレー用非線形抵抗素子の絶縁膜不良を解消し、さらに温度補償回路の不要なディスプレーを得る。【構成】 真空容器内に、接地電極18と高周波電力を印加する電極19を、対向して設けた構成とする。高周波電力を印加する電極19に絶縁膜を形成する基板20を配置し、対向した電極間に酸素または窒素を含むガスを供給して高周波放電を発生することにより、基板20の表面に絶縁膜を形成する。

Claim (excerpt)：

真空容器内に配置した接地電極と高周波電力を印加する電極からなる対向電極を有し、前記高周波電力を印加する電極に絶縁膜を形成する基板を配置し、前記対向電極間に酸素または窒素を含むガスを供給し、高周波放電を発生することによって前記基板表面に絶縁膜を形成する絶縁膜の形成方法。

IPC (5)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1333 505 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 27/12