Pat

J-GLOBAL ID：200903074892204534

セラミック接合構造体

Inventor： 宮原 健一郎
Applicant, Patent owner： 株式会社トクヤマ
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993281384
Publication number (International publication number)：1995069750
Application date： Nov. 10, 1993
Publication date： Mar. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】熱応力に対して極めて高度な耐性を有する熱膨張率が異なるセラミック焼結体の接合構造体であり、特に、セラミック焼結体よりなる半導体素子搭載用パッケージ、基板に該セラミック焼結体と熱膨張率が異なる、高熱伝導性のセラミック焼結体よりなる放熱体の取り付けに適した接合構造体を提供する。【構成】熱膨張率が異なるセラミック焼結体が、少なくとも金属箔よりなる層を含み、厚みが20〜3000μm、ビッカース硬度100以下の金属層を介して接合されて成るセラミック接合構造体である。

Claim (excerpt)：

熱膨張率が異なるセラミック焼結体が、少なくとも金属箔よりなる層を含み、厚みが20〜3000μm、ビッカース硬度100以下の金属層を介して接合されて成るセラミック接合構造体。

IPC (3)：

C04B 37/00 ,  H01L 23/02 ,  H01L 23/08