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J-GLOBAL ID：200903074911429682

半導体装置

Inventor： 廣田 正樹
Applicant, Patent owner： 日産自動車株式会社
Agent (1)： 永井 冬紀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992210336
Publication number (International publication number)：1994061366
Application date： Aug. 06, 1992
Publication date： Mar. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 ストリップ線路を構成する導体線路の幅を狭くして半導体素子の高集積化を図る。【構成】 導体線路12と接地電極13との間に半導体からなる誘電体層11が挾まれてなるストリップ線路SLと、このストリップ線路SLの誘電体層11上に形成された半導体素子18とからなる半導体装置において、このストリップ線路SLを半導体からなる支持基板14上に一体に形成した。

Claim (excerpt)：

導体線路と接地電極との間に半導体からなる誘電体層が挾まれてなるストリップ線路と、このストリップ線路の誘電体層上に形成された半導体素子とからなる半導体装置において、前記ストリップ線路は半導体からなる支持基板上に一体に形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 23/12 301 ,  H01L 23/12 ,  H01L 21/338 ,  H01P 3/08

FI (2)：

H01L 23/12 Q ,  H01L 29/80 R