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J-GLOBAL ID：200903074917775710

半導体装置

Inventor：
谷澤 幸彦

About 谷澤 幸彦


Applicant, Patent owner：
日本電装株式会社

About 日本電装株式会社


Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992158796
Publication number (International publication number)：1993327264
Application date： May. 25, 1992
Publication date： Dec. 10, 1993
Summary：
【要約】【目的】 金属ケースや貫通コンデンサを省いた簡単な構造で耐EMI対策が達成できる半導体装置を提供すること。【構成】 半導体基板に半導体製造技術を用いて電子素子を形成し特定の機能を有するオペアンプ(集積回路)の出力端子VOUT とグランドGNDとの間に(誘導ノイズ除去用)コンデンサC2を集積化して組み込み形成する。このように、半導体装置の半導体ICチップに集積化され組み込まれたコンデンサは、誘導ノイズなどの高周波成分などに対してはインピーダンスが小さくなる。この場合には、誘導ノイズはコンデンサC2を介してグランドGND側にバイパスされ出力端子VOUT 側に現れ難くなる。このように、本発明の半導体装置では耐EMI対策が簡単な構造で達成できる。
Claim (excerpt)：
半導体基板に半導体製造技術を用いて電子素子を形成し特定の機能を有する集積回路を構成した半導体装置において、前記集積回路のグランド電位以外のラインとグランドとの間にコンデンサを集積化して組み込んだことを特徴とする半導体装置。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (13)
  • 特開平2-231757
  • 特開平3-065807
  • 特開平4-040707
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