Pat
J-GLOBAL ID:200903074921663152
ICチップの接点変換構造と該接点変換構造の形成法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
中畑 孝
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997198944
Publication number (International publication number):1999045905
Application date: Jul. 24, 1997
Publication date: Feb. 16, 1999
Summary:
【要約】【課題】本発明はフェースダウン方式により、ICチップの電極群のピッチ変換と形状変換を行なう場合に有利に実施でき、従来のフェースダウン方式による接点変換構造におけるインターポーザ基板を用いずに、簡素な構造で且つ高信頼の接続が果たせ、加えてロ-コストで済むICチップの接点変換構造を提供する。【解決手段】ICチップ1の電極2群を配置した側の表面に該電極2群を覆う絶縁シート3を貼り合せ、該絶縁シート3の該貼り合せ面とは反対側の表面に外部接点5群を有するリード4群を配し、該リード4群の局部を上記絶縁シート3を通し上記電極2群へ向け塑性曲げ加工して突曲部6群を形成し、該突曲部6群が上記電極2群と電気的に接続しているICチップの接点変換構造。
Claim (excerpt):
ICチップの電極群を配置した側の表面に該電極群を覆う絶縁シートが貼り合せられ、該絶縁シートの該貼り合せ面とは反対側の表面に外部接点群を有するリード群が配され、該リード群の局部が上記絶縁シートを通し上記電極群へ向け塑性曲げ加工されて突曲部群を形成しており、該突曲部群が上記電極群と電気的に接続していることを特徴とするICチップの接点変換構造。
IPC (2):
H01L 21/60 311
, H01L 21/60
FI (2):
H01L 21/60 311 Q
, H01L 21/60 311 S
Return to Previous Page