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J-GLOBAL ID：200903074925852936

励起子レーザ

Inventor： 野嶋 俊司
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 古谷 史旺
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993186148
Publication number (International publication number)：1995045904
Application date： Jul. 28, 1993
Publication date： Feb. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】 励起子による光利得を利用し、量子細線中の励起子による光利得の特徴を引き出す励起子レーザを提供することを目的とする。【構成】 化合物半導体基板上に形成された化合物半導体の障壁層内に量子細線からなる井戸層を埋め込み、外部から注入される電流により量子細線内部で形成された励起子が、フォノンを放出して遷移することにより生じた最大利得スペクトラムの発光を用いる構成を特徴とする。

Claim (excerpt)：

化合物半導体基板上に形成された化合物半導体の障壁層内に量子細線からなる井戸層を埋め込み、外部から注入される電流により量子細線内部で形成された励起子が、フォノンを放出して遷移することにより生じた最大利得スペクトラムの発光を用いる構成を特徴とする励起子レーザ。