Pat

J-GLOBAL ID：200903074926393102

薄膜集積回路およびその製造方法

Inventor： 田邉 浩
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993035934
Publication number (International publication number)：1994252398
Application date： Feb. 25, 1993
Publication date： Sep. 09, 1994
Summary：

【要約】【目的】薄膜集積回路を構成するp-ch.TFTとn-ch.TFTとをそれぞれ最適化して形成する。【構成】p-ch.TFTのチャネルとなる半導体薄膜とn-ch.TFTのチャネルとなる半導体薄膜とを、たがいに異なるレーザ強度によるレーザアニールにより形成する。

Claim (excerpt)：

基板上にnチャネル型薄膜トランジスタとpチャネル型薄膜トランジスタとを有する薄膜集積回路において、前記nチャネル型薄膜トランジスタのチャネルとなる半導体薄膜と前記pチャネル型薄膜トランジスタのチャネルとなる半導体薄膜とはたがいに多結晶および非結晶による組成構造や多結晶構造中の結晶粒径、結晶粒界が異なることを特徴とする薄膜集積回路。

IPC (4)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/324 ,  H01L 27/092

FI (3)：

H01L 29/78 311 C ,  H01L 27/08 321 B ,  H01L 29/78 311 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭63-120467
  
• 特開昭63-005559
  
• 特開平1-162376