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J-GLOBAL ID：200903074935132125

炭素を含む窒化物人工格子およびその作製方法

Inventor： 中山 則昭 ,  平田 和男
Applicant, Patent owner： 日電アネルバ株式会社
Agent (1)： 鈴木 利之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993064882
Publication number (International publication number)：1994256098
Application date： Mar. 02, 1993
Publication date： Sep. 13, 1994
Summary：

【要約】【目的】 3d遷移金属層と炭素層からなる人工格子において、少なくとも一方の層を窒化物とすることにより、界面での相互拡散や化学反応を抑制し、短周期構造でも高い反射率を得る。【構成】 Cターゲット26とCrターゲット28を用いて、窒素ガス雰囲気中でスパッタリングを行って、2rpmで回転する基板36上にCrN/CN人工格子の膜を堆積させた。CNの膜厚を3nmで一定にし、CrNの膜厚を2nm、1nm、0.4nm、0.2nmの4種類に設定して、4種類の人工格子を作り、そのX線回折パターンを測定して膜の評価を行った。その結果、すべての人工格子において、人工格子の周期に対応する明確な回折ピークが観測された。

Claim (excerpt)：

3d遷移金属窒化物からなる第1層と窒化炭素からなる第2層とを交互に繰り返し積層したことを特徴とする、炭素を含む窒化物人工格子。

IPC (5)：

C30B 29/68 ,  C23C 14/06 ,  C30B 23/08 ,  C30B 25/06 ,  C30B 29/38