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J-GLOBAL ID：200903074940733897

半導体装置

Inventor： 朝日 良典
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991324157
Publication number (International publication number)：1993160279
Application date： Dec. 09, 1991
Publication date： Jun. 25, 1993
Summary：

【要約】【目的】新規な構造の絶縁膜を用いて,配線温度の上昇を抑制し,配線中の温度勾配をなくし,さらに熱応答時間を短縮し,当該配線部分におけるエレクトロマイグレ-ションを防止する。【構成】半導体基板11上には,熱伝導率が0.1[W/cm・K]未満の絶縁膜12,例えばSiO2 膜,ポリイミド膜が形成されている。絶縁膜12上には,熱伝導率が0.1[W/cm・K]以上の絶縁膜13,例えばSiC膜,BeO膜,Al2 O3 膜が形成されている。絶縁膜13上には,配線14が形成されている。なお,絶縁膜13は,必要に応じて半導体基板11に接続される。これにより,当該配線に発生した熱は,低い熱抵抗を持つ当該絶縁膜を介して除去され,エレクトロマイグレ-ションが防止される。

Claim (excerpt)：

配線と,この配線上および配線下の少なくとも一方において,前記配線と接触して形成され,熱伝導率が0.1[W/cm・K]以上の絶縁膜とを具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/316