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J-GLOBAL ID：200903074945141424
半導体発光素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997045233
Publication number (International publication number)：1998242585
Application date： Feb. 28, 1997
Publication date： Sep. 11, 1998
Summary：
【要約】【課題】 窒化ガリウム系半導体発光素子において、多層構造からなる発光層の結晶性を改善すること。【解決手段】 発光層を成す多層構造の組み合わせとして、Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N-Ga<SB>1-y</SB>In<SB>y</SB>N(0<x<1,0<y<1)、及びAl<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N-GaN<SB>1-z</SB>As<SB>z</SB>(0≦x≦1,0<z≦1)を用いる。【効果】 上記組み合わせを用いる事により、多層膜界面での相互拡散による偏析や歪みによる格子緩和を抑制する事が可能となり、発光素子の駆動電流が低減した。
Claim (excerpt)：
発光層を構成する多層構造の第1層がAl<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N,第2層がGa<SB>1-y</SB>In<SB>y</SB>N (0<x<1,0<y<1)から成る事を特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
IPC (2)：
FI (2)：
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