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J-GLOBAL ID:200903074956755017
半導体加速度センサ
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
安藤 淳二
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002342979
Publication number (International publication number):2004177233
Application date: Nov. 26, 2002
Publication date: Jun. 24, 2004
Summary:
【課題】ビーム自身が有する機械的強度以上の応力が加わることを制限し、許容範囲以上で作用する加速度に対して耐衝撃性の優れた半導体加速度センサを提供すること。【解決手段】半導体基板からなるフレーム1からその内方に向かって突設された弾性を有するビーム2により遊動自在に支持された重り部4と、ビーム2に設けられて作用する加速度に応じて抵抗値の変化するピエゾ抵抗3と、ピエゾ抵抗3からの信号を取り出す電極5とを有する半導体加速度センサ。重り部4は、ビーム2に接合された主重り部41と、それと連結して少なくとも2本のビーム2とフレーム1とにより囲まれた空間に配設された補助重り部42と、隣り合う補助重り部42を結合する連結部43とを有してなり、ビーム2は、重り部4が所定量遊動した際にその外縁及び連結部43と当接する位置に遊動規制手段6,7を有する【選択図】 図1
Claim (excerpt):
半導体基板からなるフレームと、フレームからその内方に向かって突設された弾性を有するビームにより遊動自在に支持された重り部と、ビームに設けられて作用する加速度に応じて抵抗値の変化するピエゾ抵抗と、ピエゾ抵抗からの信号を取り出す電極と、を有する半導体加速度センサであって、
前記重り部は、前記ビームに接合された主重り部と、主重り部と連結して少なくとも2本のビームと前記フレームとにより囲まれた空間に配設された補助重り部と、隣り合う補助重り部を結合する連結部とを有してなり、
前記ビームは、前記重り部が所定量遊動した際にその外縁及び前記連結部と当接する位置に遊動規制手段を有することを特徴とする半導体加速度センサ。
IPC (2):
FI (2):
G01P15/12 D
, H01L29/84 A
F-Term (11):
4M112AA02
, 4M112BA01
, 4M112CA21
, 4M112CA24
, 4M112CA26
, 4M112CA29
, 4M112CA31
, 4M112DA18
, 4M112EA06
, 4M112EA11
, 4M112FA07
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
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半導体加速度センサ及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-025677
Applicant:松下電工株式会社
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