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J-GLOBAL ID：200903074958465997

プラズマ活性化化学蒸着プロセスにおいてプラズマのサイズおよび位置を制御するための装置および方法

Inventor： ジヨン・マイケル・ピンネオ
Applicant, Patent owner： クリスタリユーム
Agent (1)： 川口 義雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992355193
Publication number (International publication number)：1994025860
Application date： Dec. 17, 1992
Publication date： Feb. 01, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 ダイアモンドのようなCVD材料の製造のためのマイクロウェーブプラズマ活性化CVD蒸着技術を提供する。【構成】 マイクロウェーブ源50内に生成され且つ導波管54,56内で移動するマイクロウェーブエネルギーの相対位相に正則変化を与えるための装置であって、導波管54,56内のシャフト上の固定位置に回転可能に装着されていると共に、前記シャフトのさまざまな角位置で導波管54,56の軸に沿ってさまざまな厚さを呈するように形成されている誘電材料のブロックが位相変調器部 66,68内に設けられる。

Claim (excerpt)：

マイクロウェーブ源内に生成され且つ導波管内で移動するマイクロウェーブエネルギの相対位相に正則変化を与えるための装置であって、前記導波管内のシャフト上の固定位置に回転可能に装着されていると共に、前記シャフトのさまざまな角位置で前記導波管の軸に沿ってさまざまな厚さを呈すように形成されている誘電材料のブロックを含む装置。

IPC (4)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/26 ,  C23C 16/52 ,  H05H 1/46