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J-GLOBAL ID:200903074969907380

クリプトスポリジウムの不活化方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 西村 陽一 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998064518
Publication number (International publication number):1999244874
Application date: Feb. 26, 1998
Publication date: Sep. 14, 1999
Summary:
【要約】【課題】効率的かつ確実にクリプトスポリジウムのオーシストを不活化させることのできるクリプトスポリジウムの不活化方法を提供する。【解決手段】水の中に存在するクリプトスポリジウムのmuris種をオゾンによって不活化させるクリプトスポリジウムの不活化方法において、水にオゾンガスを供給することによりオゾン処理を行った後、その水に紫外線照射ランプ10によって波長が254nmの紫外線を30秒間照射する。前記オゾン処理に際しては、水に対するオゾン供給量(W[mg/min])とオゾン供給時間(T[min])とを、オゾン供給時間(T[min])内における水の中の残留オゾン量(Cr[ppm])の積算値(CrT[ppm・min])が7.5以上になるように設定した。
Claim (excerpt):
中性清浄水の中に存在するクリプトスポリジウムのmuris種をオゾンによって不活化させるクリプトスポリジウムの不活化方法において、前記中性清浄水にオゾンガスを供給することによりオゾン処理を行う第1工程と、前記第1工程によってオゾン処理された前記中性清浄水に波長が254nmの紫外線を30秒間照射する第2工程とを有し、前記第1工程では、前記中性清浄水における溶解オゾン濃度(C[ppm])とその溶解オゾン濃度のオゾン溶解水へのクリプトスポリジウムのmuris種の接触時間(T[min])とを、前記溶解オゾン濃度(C[ppm])と前記接触時間(T[min])との積であるCT値が7.5以上になるように設定したことを特徴とするクリプトスポリジウムの不活化方法。
IPC (7):
C02F 1/78 ,  C02F 1/32 ,  C02F 1/50 510 ,  C02F 1/50 520 ,  C02F 1/50 531 ,  C02F 1/50 560 ,  C02F 1/72 101
FI (7):
C02F 1/78 ,  C02F 1/32 ,  C02F 1/50 510 E ,  C02F 1/50 520 B ,  C02F 1/50 531 R ,  C02F 1/50 560 C ,  C02F 1/72 101
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
Article cited by the Patent:
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