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J-GLOBAL ID：200903074983558576

光触媒皮膜用下地膜、その形成方法および光触媒皮膜用下地膜を利用して形成した光触媒皮膜を有する基材を含んでなる物品

Inventor：
西森 秀樹

About 西森 秀樹

, 
橋本 明

About 橋本 明

, 
多田 清志

About 多田 清志


Applicant, Patent owner：
昭和アルミニウム株式会社

About 昭和アルミニウム株式会社


Agent (1)： 岸本 瑛之助 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998183632
Publication number (International publication number)：2000017229
Application date： Jun. 30, 1998
Publication date： Jan. 18, 2000
Summary：
【要約】【課題】 ゾル-ゲル法により低温焼成が可能であり、様々な基材に密着性よく塗布でき、加工性に優れた無機系の光触媒皮膜用下地膜、およびその形成方法、光触媒皮膜用下地膜と光触媒皮膜とを具備する基材を含んでなる物品を提供する。下地膜は、光触媒皮膜と基材の間に塗布するバリヤー層として必要な緻密な内層と、光触媒皮膜に対し密着性の良い粗い表層とを同時に備えている。【解決手段】 光触媒皮膜用下地膜は、SiO2 を主成分とし、ゾル-ゲル法により形成されており、緻密層上に凹凸層が一体に形成され、凹凸層の表面全体に微細な凹凸が形成されて粗面化されている。下地膜の形成方法は、R1 nSi(OR2 )4-n で表されるシラン化合物と、溶媒と、水と、酸触媒とよりなる液組成物に、SiO2 微粒子を混ぜ合わせたものを攪拌することにより得たゾルを基材に塗布して乾燥させることによりゲル膜を形成し、その後焼成する。
Claim (excerpt)：
SiO2 を主成分とするとともに、ゾル-ゲル法により形成されており、緻密層上に凹凸層が一体に形成され、凹凸層の表面全体に微細な凹凸が形成されて粗面化されている、光触媒皮膜用下地膜。
IPC (5)：
C09D183/04 ,  A61L 9/00 ,  C09D 5/00 ,  C09K 3/00 ,  C09K 3/18
FI (5)：
C09D183/04 ,  A61L 9/00 C ,  C09D 5/00 D ,  C09K 3/00 S ,  C09K 3/18
F-Term (36)：
4C080BB02 ,  4C080BB06 ,  4C080BB08 ,  4C080CC01 ,  4C080HH05 ,  4C080JJ06 ,  4C080KK08 ,  4C080MM02 ,  4C080MM06 ,  4C080NN29 ,  4C080QQ03 ,  4H020AA01 ,  4H020AB02 ,  4H020BA32 ,  4J038AA011 ,  4J038CP08 ,  4J038DL051 ,  4J038DL071 ,  4J038DL111 ,  4J038HA096 ,  4J038HA156 ,  4J038HA336 ,  4J038HA376 ,  4J038HA446 ,  4J038JA19 ,  4J038JA23 ,  4J038JA44 ,  4J038KA04 ,  4J038KA06 ,  4J038NA00 ,  4J038NA05 ,  4J038NA17 ,  4J038PA19 ,  4J038PC02 ,  4J038PC04 ,  4J038PC06
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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