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J-GLOBAL ID：200903074994789669
p型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998190029
Publication number (International publication number)：1999346002
Application date： Jul. 06, 1998
Publication date： Dec. 14, 1999
Summary：
【要約】【課題】 表面の結晶性を良好に保ったまま簡便にp型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法を得ることを目的とする。【解決手段】 気相成長法により、少なくともガリウム元素を含む原料ガスと、窒素元素を含む原料ガスと、マグネシウム元素を含む原料ガスを反応管へ輸送し、前記反応管内に設置され加熱された基板上にマグネシウムをドープした窒化ガリウム系化合物半導体薄膜を成長させた後、前記反応管内で少なくとも前記窒素元素を含む原料ガスと窒素ガスとを供給した雰囲気ガス中で前記基板を冷却する。
Claim (excerpt)：
気相成長法により、少なくともガリウム元素を含む原料ガスと、窒素元素を含む原料ガスと、マグネシウム元素を含む原料ガスとを反応管へ輸送し、前記反応管内に設置され加熱された基板上にマグネシウムをドープした窒化ガリウム系化合物半導体薄膜を成長させた後、前記反応管内で少なくとも前記窒素元素を含む原料ガスと窒素ガスとを供給した雰囲気ガス中で前記基板を冷却することを特徴とするp型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 33/00 C
, H01L 21/205
