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J-GLOBAL ID：200903074998533073

III族窒化物レーザーダイオードおよびその製造方法

Inventor： 国原 健二 ,  松原 邦雄 ,  新村 康 ,  進藤 洋一
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 篠部 正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999062649
Publication number (International publication number)：2000261099
Application date： Mar. 10, 1999
Publication date： Sep. 22, 2000
Summary：

【要約】【課題】p側のAl0.2Ga0.8N クラッド層にもクラックのないIII 族窒化物レーザーダイオードおよびその製造方法を提供する。【解決手段】サファイア基板1と、少なくともその上に形成されたバッファ層2、n型のGaN 層3、クラック防止層C1、AlX Ga1-x N からなるnクラッド層4、Iny Ga1-y N からなる活性層5、GaN からなるp型光ガイド層6、AlX Ga1-x N からなるpクラッド層7およびGaN からなるpコンタクト層8を有するIII 族窒化物レーザーダイオードにおいて、前記p型光ガイド層と前記pクラッド層間にp型のGaN からなる低温バッファー層L1を介在させる。

Claim (excerpt)：

サファイア基板と、少なくともその上に形成されたバッファ層、n型のGaN 層、クラック防止層、AlX Ga1-x N からなるnクラッド層、Iny Ga1-y N からなる活性層、GaN からなるp型光ガイド層、AlX Ga1-x N からなるpクラッド層およびGaN からなるpコンタクト層を有するIII 族窒化物レーザーダイオードにおいて、前記p型光ガイド層と前記pクラッド層間にp型のGaN からなる低温バッファー層を有することを特徴とするIII 族窒化物レーザーダイオード。

F-Term (7)：

5F073AA51 ,  5F073AA55 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB10 ,  5F073EA28