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J-GLOBAL ID：200903075008179200

誘電体磁器組成物及び多層アルミナ質配線基板並びに半導体素子収納用パッケージ

Inventor： 四方 邦英 ,  窪田 武志 ,  古澤 明
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992230993
Publication number (International publication number)：1994076634
Application date： Aug. 31, 1992
Publication date： Mar. 18, 1994
Summary：

【要約】【構成】Al2 O3 を40〜95重量%、Reを5〜60重量%含有してなる誘電体磁器組成物であり、Al2 O3 を主成分とする絶縁層13間に、両側に一対の電極層15,23,25,29が形成された高誘電体層11,27を介装してなる多層アルミナ質配線基板及び半導体素子収納用パッケージにおいて、高誘電体層11,27が、Al2 O3 を40〜95重量%、Reを5〜60重量%含有した多層アルミナ質配線基板及び半導体素子収納用パッケージを提供する。【効果】誘電率を大幅に向上することができ、このような高誘電体層を内蔵することにより、半導体IC(集積回路)が外来ノイズや不要輻射により誤動作を生じることを阻止することができる。

Claim (excerpt)：

40〜95重量%のAl2 O3 に、5〜60重量%のReを含有してなる誘電体磁器組成物。

IPC (5)：

H01B 3/12 337 ,  C04B 35/10 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/15 ,  H01L 23/14

FI (3)：

H01L 23/12 B ,  H01L 23/14 C ,  H01L 23/14 M