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J-GLOBAL ID：200903075012669807

量子ドット形成方法及び量子ドット構造体

Inventor： 田中 悟 ,  青柳 克信
Applicant, Patent owner： 理化学研究所 ,  田中 悟
Agent (1)： 平木 祐輔 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996233442
Publication number (International publication number)：1998079501
Application date： Sep. 03, 1996
Publication date： Mar. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】 通常の製法では表面のエネルギー平衡条件によって量子ドットを形成することができない材料系においても量子ドットの形成を可能とする。【解決手段】 量子ドットを形成する前に半導体層表面に表面状態を変化させるサーファクタントを作用させる。図2の例では、まず基板31の表面にAlNバッファー層32を形成し(a)、その上にAlGaNクラッド層33を形成する(b)。次に、テトラエチルシラン(サーファクタント)をクラッド層33の表面に供給する(c)。続いて、AlGaNクラッド層33の表面にTMG及びNH3 ガスを短時間供給して、GaN量子ドット34を成長させる(d)。最後に、AlGaNキャップ層を形成してGaN量子ドット34をキャップ層中に埋設する(e)。

Claim (excerpt)：

第1の化合物半導体層上に第2の化合物半導体の量子ドットを形成する方法において、前記第1の化合物半導体層上に前記第2の化合物半導体を直接成長させると膜が形成されるとき、前記第1の化合物半導体層にその表面状態を変化させる物質を作用させてから前記第2の化合物半導体を成長させることを特徴とする量子ドット形成方法。

IPC (4)：

H01L 29/06 ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (4)：

H01L 29/06 ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18